STMicroがUSB-PD充電器向けに、GaN FET内蔵電源IC

新製品の内部ブロック図 スイッチング素子は、IC内の右上に見える、1個の+650V耐圧GaN FETだけである。その下方に見えるSi製のパワーMOSFETは電流検出用である。(出所:STMicroelectronics)
新製品の内部ブロック図
スイッチング素子は、IC内の右上に見える、1個の+650V耐圧GaN FETだけである。その下方に見えるSi製のパワーMOSFETは電流検出用である。(出所:STMicroelectronics)

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