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 東芝デバイス&ストレージは、サーバーやデータセンター機器、通信機器などの電源に向けた+150V耐圧パワーMOSFETの新製品を発売した ニュースリリース 。特徴は、オン抵抗が9.0mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と低いこと。同社によると「オン抵抗は、当社従来品に比べると約42%削減した。+150V耐圧品のパワーMOSFETでは、業界で最も低いオン抵抗」という。

サーバーなどの電源に向けた+150V耐圧パワーMOSFET
サーバーなどの電源に向けた+150V耐圧パワーMOSFET
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 新製品のオン抵抗を低減できた理由は、パワーMOSFETに向けた同社最新の製造プロセス技術「U-MOSX-H(ユー・モス・テン・エイチ)」を適用したからである。同社はこの製造プロセスを+80V耐圧品や+100V耐圧品に適用してきたが、+150V耐圧品への適用は今回が初めてである。なお、+150V耐圧の従来品は以前の製造プロセス「U-MOSⅧ-H」を使っていた。

 U-MOSX-Hを適用したことで、ゲート電荷量(Q>SW)と出力電荷量(Qoss)も低減できた。ゲート電荷量は11.7nC(標準値)で、出力電荷量は87nC(標準値)である。「オン抵抗とゲート電荷量の積で求める性能指数(FOM:Figure Of Merit)は、当社従来品に比べて約20%改善。オン抵抗と出力電荷量の積で求めるFOMは約28%改善した」(同社)。新製品をサーバーやデータセンター機器、通信機器などに搭載するDC-DCコンバーター回路に適用すれば、導通損失とスイッチング損失の両方を低減でき、変換効率を高められるという。

 新製品の型番は「TPH9R00CQH」。nチャネル品である。最大ドレイン電流は、直流(DC)時に64A、パルス時に320A。ドレインの漏れ電流(IDSS)は10μA(最大値)と少ない。入力容量は3500pF(標準値)。出力容量は690pF(標準値)。帰還容量は19pF(標準値)である。パッケージは、実装面積が5.0mm×6.0mmのSOP Advanceと、実装面積が4.9mm×6.1mmのSOP Advance(N)を用意した。新製品の主な仕様は下表の通り。

新製品の主な仕様
新製品の主な仕様
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
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 すでに販売を始めている。価格は明らかにしていない。