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　米Qorvo（クォルボ）は、＋1200V耐圧のSiCパワー素子（SiC FET）を6製品発売した ニュースリリース 。6製品いずれも、＋800Vの電源バスを使う車載充電器（OBC：On Board Charger）や産業機器向けバッテリー充電器／スイッチング電源、太陽光発電向けインバーター、溶接機、無停電電源装置（UPS）、誘導加熱器（IHヒーター）などに向ける。

＋1200V耐圧のSiC FET
＋1200V耐圧のSiC FET
ケルビンソース接続を採用した4端子TO-247封止品の外観と内部回路である。（出所：Qorvo）
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　新製品の特徴は、オン抵抗（RDS(ON)）と全ゲート電荷量(Qg)の積で求める性能指数（FOM：Figure Of Merit）が0.9Ω・nCと低いことである。「＋1200V耐圧SiCパワー素子の中では業界で最も低い」（同社）。このため電源回路やモーター駆動回路などに適用すれば、導通損失とスイッチング損失の両方を削減でき、変換効率を高められる。

7つの特性／FOMを競合他社品と比較
7つの特性／FOMを競合他社品と比較
7つの特性／FOMは以下の通り。図の最上部にある「Rthj-c」は、接合部とケース間の熱抵抗。ここから右回りで、「25℃ RDS(ON)×Eoss」は、＋25℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と出力容量の損失エネルギー(Eoss)の積で求めるFOM。「125℃ RDS(ON)×Eoss」は、＋125℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と出力容量の損失エネルギー(Eoss)の積で求めるFOM。「25℃ RDS(ON)×Coss.tr」は、＋25℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と出力容量(Coss.tr)の積で求めるFOM。「125℃ RDS(ON)×Coss.tr」は、＋125℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と出力容量(Coss.tr)の積で求めるFOM。「25℃ RDS(ON)×Qg」は、＋25℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と全ゲート電荷量(Qg)の積で求めるFOM。「125℃ RDS(ON)×Qg」は、＋125℃におけるオン抵抗（RDS(ON)）と全ゲート電荷量(Qg)の積で求めるFOMである。図では、今回の新製品の各特性／FOMを1としたときの、競合他社のSiCパワーMOSFETの相対値を示した。（出所：Qorvo）
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　同社は、2021年11月に米UnitedSiC（ユナイテッドSiC）を買収した。新製品は、買収以前にUnitedSiCが開発した第4世代のSiC FET技術を適用したものである。SiC FET技術では、ノーマリーオン特性の＋1200V耐圧SiC接合型FET（JFET：Junction FET）に、耐圧が＋20V程度のSiパワーMOSFETをカスコード接続することで、ノーマリーオフ特性を得ている。競合他社の多くが製品化するSiCパワーMOSFETと同様に使える。第4世代のSiC FET技術はすでに＋750V耐圧品に適用済みである*

今回は、これに＋1200V耐圧品を追加した。

* 関連記事 オン抵抗が5.9mΩと低い750V耐圧SiC FET、UnitedSiCが発売

　新製品の名称は「UF4C/SCシリーズ」。発売した6製品は、オン抵抗とパッケージが異なる。オン抵抗の選択肢は23mΩ、30mΩ、53mΩ、72mΩの4つ（いずれも標準値）。パッケージは、ケルビンソース接続を採用した4端子TO-247と3端子TO-247の2つを用意した。

第4世代SiC FET技術適用の製品
第4世代SiC FET技術適用の製品
今回発売した6個の＋1200V耐圧品のほか、販売中の13個の＋750V耐圧品のオン抵抗とパッケージをまとめた。（出所：Qorvo）
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　オン抵抗が23mΩで、ケルビンソース接続採用の4端子TO-247に封止した「UF4SC120023K4S」は、最大ドレイン電流が53A（連続時）。全ゲート電荷量は37.8nC（標準値）。逆回復電荷量（Qrr）は341nC（標準値）。逆回復時間（trr）は27ns（標準値）。動作温度範囲は−55〜＋175℃である。

　6製品いずれも、すでに量産を始めている。1000個以上購入時の参考単価は、オン抵抗が72mΩで3端子TO-247に封止した「UF4C120070K3S」が5.71米ドル。UF4SC120023K4Sは14.14米ドル。残る4製品は、5.71〜14.14米ドルの範囲である。