PR

 米onsemi(オンセミ)は、+650V耐圧SiCパワーMOSFETの新製品を発売した ニュースリリース 。特徴は、外形寸法が9.90mm×11.68mm×2.30mmと小さいTOLL(TO-Leadless)パッケージに封止したこと。同社によると、「TOLLパッケージ封止のSiCパワーNOSFETの製品化は業界初」という。7端子D2PAKパッケージに封止した従来品に比べると、プリント基板上の実装面積を約30%削減できる。応用先は、サーバーや通信機器に搭載するスイッチング電源のほか、太陽光発電向けインバーターや無停電電源装置(UPS)、エネルギー貯蔵装置などである。

TOLLパッケージに封止した+650V耐圧SiCパワーMOSFET
TOLLパッケージに封止した+650V耐圧SiCパワーMOSFET
(出所:onsemi)
[画像のクリックで拡大表示]

 TOLLに封止したメリットはもう1つある。パッケージのインダクタンスが2nHと小さいことである。このため、SiCパワーMOSFETの駆動時に発生する高周波のリンギングを抑えられ、放射電磁ノイズ(EMI)を低減できるとする。

 新製品の型番は「NTBL045N065SC1」。最大ドレイン電流は連続時に73A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+18Vのときに33mΩ(標準値)で、+15Vのときに45mΩ(標準値)。「全ゲート電荷量は105nC(標準値)と少ないため、スイッチング損失を低減できる」(同社)。入力容量は1870pF(標準値)。出力容量は162pF(標準値)。帰還容量は14pF(標準値)である。

 動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。接合部とケース間の熱抵抗は0.43℃/W(最大値)である。価格は明らかにしていない。