互換性確保で半導体不足に対処、東芝がフォトカプラーの新製品

信号出力の素子構成の比較 今回の新製品と同社従来品、競合他社品の素子構成を比較した。今回は、上側(ハイサイド)と下側(ローサイド)のどちらもnチャネルMOSFETの構成に変更することで、競合他社品が採用する上側がバイポーラートランジスタ、下側がnチャネルMOSFETという構成の出力特性に近づけ、互換性を高めた。(出所:東芝デバイス&ストレージ)
信号出力の素子構成の比較
今回の新製品と同社従来品、競合他社品の素子構成を比較した。今回は、上側(ハイサイド)と下側(ローサイド)のどちらもnチャネルMOSFETの構成に変更することで、競合他社品が採用する上側がバイポーラートランジスタ、下側がnチャネルMOSFETという構成の出力特性に近づけ、互換性を高めた。(出所:東芝デバイス&ストレージ)

カーソルキー(←/→)でも操作できます