韓国Samsung Electronics（サムスン電子）は、GAA（Gate All Around)トランジスタの3nm世代プロセス「3GAE」での量産を始めたと（図1）、2022年6月30日（現地時間）に発表した ニュースリリース 。同社は21年10月7日にオンライン開催したSamsung Foundry Forum 2021において、3GAEでの量産を2022年上期に開始すると宣言しており*、上期の最終日である6月30日に発表を行ったとみられる。
Samsungは自社のGAAトランジスタを「MBCFET：Multi-Bridge-Channel FET」と名付けている（図2）。このGAAトランジスタはナノシートを利用してチャネルを構成。ナノワイヤを利用してチャネルを構築するGAAトランジスタに比べて、チャネル幅を広くできるため、高性能化と高効率化が可能だとする。
今回、量産開始が発表された3GAEは、3nm GAAトランジスタの第1世代プロセスである。5nm世代プロセスと比較して消費電力を最大45％削減し、性能を23％向上、チップ面積を16％削減できるという。2023年に投入予定とされる3nm GAAトランジスタの第2世代プロセス「3GAP」では、5nm世代プロセスと比較して消費電力を最大50％削減、性能を30％向上させ、チップ面積を35％削減できるとする。
Samsungは3nm世代のGAAプロセスで造るチップの設計に向けて、「SAFE：Samsung Advanced Foundry Ecosystem」と呼ぶエコシステムパートナーと協業し、2021年第3四半期から設計環境を提供している。このパートナーとして、今回の発表では、米Ansys（アンシス）、米Cadence Design Systems（ケイデンス・デザイン・システムズ）、米Siemens EDA（シーメンスEDA）、米Synopsys（シノプシス）が紹介された。
