Samsungが3nm世代GAAトランジスタ量産開始、予告にギリギリ滑り込み

図2 トランジスタ構造の違い 左から平面FETプロセス、FinFETプロセス、ナノワイヤを使うGAAトランジスタプロセス、ナノシートを使うGAAトランジスタプロセス。SamsungのGAAトランジスタは右端であり、同社は「MBCFET:Multi-Bridge-Channel FET」と呼ぶ(出所:Samsung Electronics)
図2 トランジスタ構造の違い
左から平面FETプロセス、FinFETプロセス、ナノワイヤを使うGAAトランジスタプロセス、ナノシートを使うGAAトランジスタプロセス。SamsungのGAAトランジスタは右端であり、同社は「MBCFET:Multi-Bridge-Channel FET」と呼ぶ(出所:Samsung Electronics)

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