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 韓国SK hynix(SKハイニックス)のJungdal Choi氏(Executive Vice President and Head of NAND Development)は「2022 Flash Memory Summit」(2022年8月2~4日、米カリフォルニア州サンタクララ)の基調講演に登壇し(図1)、同社がサンプル出荷を始めた238層の3次元NANDフラッシュメモリーを紹介した ニュースリリース 。同氏によれば238層の3次元NANDフラッシュメモリーは世界初という。量産は2023年第1四半期に始める予定である。

図1 登壇したJungdal Choi氏
図1 登壇したJungdal Choi氏
(出所:SK hynix)
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 紹介されたのはTLC(Triple Level Cell)メモリーセルのNANDフラッシュメモリーで(図2)、容量は512Gビットである ニュースリリース 。データ転送速度は2.4Gビット/秒で、これは同社が2020年12月に発表した176層品 ニュースリリース よりも50%高速である。またデータ読み出し時のエネルギーを21%削減したという。

図2 発表された238層NANDフラッシュメモリー
図2 発表された238層NANDフラッシュメモリー
(出所:SK hynix)
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 今回発表の238層NANDフラッシュメモリーは最初に、PCなどのクライアント向けSSDに搭載される。その後、スマートフォンやサーバー向けSSDに利用される予定という。さらに同社は同じ238層構造で容量1Tビット品を2023年に発表予定とした。