PR

 伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、SiCウエハー工場をイタリアに新設すると2022年10月5日(現地時間)に発表した 日本語版ニュースリリース )。同社によれば、直径150mmのSiCエピタキシャルウエハーを造る欧州初の工場になるという。

図1 SiCウエハーの例
図1 SiCウエハーの例
(写真:STMicroelectronics)
[画像のクリックで拡大表示]

 新しいSiCウエハー工場は、SiCパワー半導体デバイス(チップ)を造るイタリア・カターニャ工場内に建設される。同工場はSTのSiCパワー半導体の中心地であり、同半導体の研究・開発・製造を一貫して行ってきたという。ウエハー工場が完成すれば、同社が目指すSiCの垂直統合化戦略が強化されるとする。当面、カターニャ工場では150mmウエハーの製造と処理を行うことになるが、将来は200mmウエハーへと大口径化する予定である。

 SiCウエハー工場建設の投資額は5年間で7億3000万ユーロ(約1050億円)である。このうちの一部はイタリア政府の「National Recovery and Resilience Plan」から拠出される予定という。同ウエハー工場が竣工すると、カターニャ工場全体では約700名の追加雇用が発生するとしている。カターニャ工場内でのウエハー生産は2023年に開始予定で、これによって自社生産と外部調達とを組み合わせるバランスが取れたSiCウエハー供給が可能になる。同社は2024年にSiCウエハーの内製化率を40%にする目標を設定している。

 なお、STでは現在、SiCパワー半導体製造の前工程をカターニャ工場とシンガポールのアン・モ・キョの工場が担い、後工程を中国深センの工場とモロッコ・ブスクラの工場が担当している。

図2 自社工場を世界に展開
図2 自社工場を世界に展開
(写真:STMicroelectronics)
[画像のクリックで拡大表示]