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 台湾TSMC(台湾積体電路製造)は2022年12月6日、米国アリゾナ州フェニックスに最先端となる3nmプロセス半導体の製造工場である第2ファブの建設を開始したと発表した()。同地域への工場建設は、2024年に5nm世代プロセス「N4」の半導体を生産する第1ファブに続くもの。第2ファブでは2026年から3nmプロセス半導体を生産開始する計画である。

図 TSMCはこれまで「米国が出資する補助金の少なさ」から最先端半導体工場の建設を渋っていた
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図 TSMCはこれまで「米国が出資する補助金の少なさ」から最先端半導体工場の建設を渋っていた
(写真:日経クロステック)

 TSMCによると合計投資額は海外投資として「アリゾナ州史上最大、米国史上最大級の約400億米ドル」(1ドル=137円換算で約5兆4800億円)になるという。2つの工場は、年間60万枚以上のウエハーを製造し、最終製品の価値は「400億米ドル以上」(同社)と見込む。

 米国で先端半導体工場建設を急ぐ背景にあるのは、台湾有事などの地政学的リスクである。米国は半導体の安定供給に向けてこれまでもTSMC誘致に動いていた。台湾は米国側の支援が加速することで、対中国リスクを回避したい考えだ。今回の工場建設に対しても、米国政府からの経済的支援が行われる。