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 現行材料のSiでは実現できない大幅な効率向上や小型化を見込めるSiCやGaNといった次世代パワー半導体。2012年は、その実用化が大きく進んだ。中でも、採用が活発化したのがSiCダイオードで、鉄道や産業機器にまで広がった。

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