2007年9月16日～21日に米国・ラスベガスで開催された「7th International Conference of Nitride Semiconductors(ICNS)」に関連する記事へのリンクを集めたページです。
- 窒化物半導体の国際会議が開幕，LEDや半導体レーザ，パワー半導体などが一同に集う(2007/09/17)
- 三菱化学，12mm×20mmに大型化したm面GaN基板を試作(2007/09/18)
- NTTアドバンステクノロジ，6インチのSi基板にGaN系HEMTを試作(2007/09/18)
- OSRAM Opto社，1A投入時に191lmを出力できる緑色LEDを発表(2007/09/18)
- 富士通研究所ら，出力143W，利得約16dBと大きいMIS型GaN系HEMTを開発(2007/09/19)
- 豊田中央研究所ら，ハイブリッド車への搭載を目指し，GaN HFETのオン抵抗を50ｍΩ・cm2にまで低減(2007/09/19)
- ロームら，キャリア移動度が133cm2/Vsと高いノーマリー・オフ動作可能な縦型GaN系MOSFETを開発(2007/09/20)
- 緑色半導体レーザの開発に向けて，ロームと東北大学が非極性レーザを青色まで長波長化(2007/09/21)
- 窒化物半導体の国際学会ICNSが閉幕，非極性・半極性に関する研究開発が急増(2007/09/25)
- 日亜化学工業が次々世代品と位置付ける高出力白色LEDを発表，350mA投入時の発光効率は134lm/W(2007/09/25)
- NICTら，遮断周波数が190GHz，最大発振周波数が227～241 GHzと高いGaN系HFETを試作(2007/09/25)
- 米Kyma社ら，再成長を利用したm面基板を試作(2007/09/26)
- 「水晶並の大きさ目指す」，UCSBがアモノサーマル法によるGaN結晶を試作(2007/09/26)
- UCSBら，非極性面を利用したLEDや半導体レーザを発表(2007/09/27)
