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 神戸大学と超先端電子技術開発機構(ASET)は、TSV(Si貫通ビア)を用いて3次元積層したロジック-メモリ間の信号品質や、電源電圧のバラつきをオンチップで観測・診断できる技術を共同開発した[講演番号24.8]。診断回路を搭載したSiインターポーザ(アクティブ・インターポーザ)をロジック-メモリ間に挿入することで実現した。

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