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 「ISSCC 2013」の会期初日の2月17日(米国時間)に開催された技術フォーラム「F2:VLSI Power-Management Techniques」では、韓国Samsung Electronics社 Principal Engineer, DRAM Design DivisionのSangho Shin氏が講師の一人として登壇し、DRAMの電力制御技術について講演した。

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