台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)は、40nm世代のCMOS技術で製造した1MビットSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)を、「ISSCC 2013」で発表した(講演番号12.8)。SRAMやDRAMの代替に向けて、書き換え回数を1012回以上に高めることを狙った回路技術を提案している。
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