台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は、40nm世代のCMOS技術で製造した1MビットSTT-MRAM（スピン注入磁化反転型MRAM）を、「ISSCC 2013」で発表した（講演番号12.8）。SRAMやDRAMの代替に向けて、書き換え回数を1012回以上に高めることを狙った回路技術を提案している。
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