PR

 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)は、40nm世代のCMOS技術で製造した1MビットSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)を、「ISSCC 2013」で発表した(講演番号12.8)。SRAMやDRAMの代替に向けて、書き換え回数を1012回以上に高めることを狙った回路技術を提案している。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になると…

新着が分かるメールマガジンが届く
キーワード登録、連載フォローが便利

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
【春割実施中】日経電子版セットで2カ月無料


日経クロステックからのお薦め

日経クロステック 春割 日経電子版セット 2カ月無料