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 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.)は20nm世代のプレーナ型high-k/メタル・ゲート技術で製造した112MビットSRAMについて「ISSCC 2013」で発表した(講演番号18.1)。セル面積は現時点で世界最小となる0.081μm2を達成している。

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