【ISPSD】デンソーがダブルゲート構造のIGBTを開発、低い飽和電圧と高速スイッチングを両立

　デンソーは、低い飽和電圧と高速のスイッチング動作を両立するSi-IGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号1-3）。ダブルゲート構造を導入し、ドリフト層の蓄積電荷（storage carrier）の分布を動的に制御することで実現した。