デンソーは、低い飽和電圧と高速のスイッチング動作を両立するSi-IGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号1-3）。ダブルゲート構造を導入し、ドリフト層の蓄積電荷（storage carrier）の分布を動的に制御することで実現した。
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2022年5月28日（土）
2022年5月31日 午後1時～午後3時50分
2022年5月31日 午後2時～午後3時50分
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2022年6月8日（水）～9日（木）
2022年6月9日（木） 午前10時30分～午後5時
2022年6月10日（金） 午後1時30分～午後3時55分
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