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 デンソーは、低い飽和電圧と高速のスイッチング動作を両立するSi-IGBT(insulated gate bipolar transistor)を開発し、その詳細を「ISPSD 2013(主催:電気学会、2013年5月26~30日に石川県金沢市で開催)」で発表した(講演番号1-3)。ダブルゲート構造を導入し、ドリフト層の蓄積電荷(storage carrier)の分布を動的に制御することで実現した。

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