ドイツInfineon Technologies社は、SiCパワー半導体の製造工程において、SiC基板の厚さを初期状態の350μmから100μm前後にまで薄くするためのプロセス技術を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号2－3）。従来のRTP（rapid thermal anneal）法に代えて、レーザー・アニール法で裏面コンタクトを取ることにより、SiC基板表側のデバイス部に熱ダメージを与えずに済むようにした。
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