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 ドイツInfineon Technologies社は、SiCパワー半導体の製造工程において、SiC基板の厚さを初期状態の350μmから100μm前後にまで薄くするためのプロセス技術を開発し、その詳細を「ISPSD 2013(主催:電気学会、2013年5月26~30日に石川県金沢市で開催)」で発表した(講演番号2-3)。従来のRTP(rapid thermal anneal)法に代えて、レーザー・アニール法で裏面コンタクトを取ることにより、SiC基板表側のデバイス部に熱ダメージを与えずに済むようにした。

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