PR

　ドイツInfineon Technologies社は、SiCパワー半導体の製造工程において、SiC基板の厚さを初期状態の350μmから100μm前後にまで薄くするためのプロセス技術を開発し、その詳細を「ISPSD 2013（主催：電気学会、2013年5月26～30日に石川県金沢市で開催）」で発表した（講演番号2－3）。従来のRTP（rapid thermal anneal）法に代えて、レーザー・アニール法で裏面コンタクトを取ることにより、SiC基板表側のデバイス部に熱ダメージを与えずに済むようにした。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になると…

・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
有料会員と登録会員の違い


日経クロステックからのお薦め

日経BPで働きませんか

日経BPで働きませんか

「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。

日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。

Webシステムの開発・運用（医療事業分野）

システム開発エンジニア（自社データを活用した事業・DX推進）

システム開発エンジニア（契約管理・課金決済システム/ECサイト）