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 三菱電機は、SiC MOSFETのしきい値電圧とキャリア移動度のトレードオフを緩和する製造技術について、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:2-4)。SiC MOSFETは一般に、しきい値電圧を高くするほどキャリア移動度が低下し、キャリア移動度を向上させるほど、しきい値電圧が低下してしまう。このため、Si IGBTと同程度の5~6Vにしきい値電圧を設定すると、キャリア移動度が低くなりすぎる課題があった。しきい値電圧が低いほど、電磁雑音などによって誤オンする可能性が高まる。一方、キャリア移動度が低いとオン抵抗が大きくなる。

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