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 富士電機と山梨大学のグループは、小型・軽量化を図った直接水冷方式の車載向けIGBTモジュールを開発し、その実現技術について、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:5-4)。耐圧は1200V、電流値は500Aで、面積は320mm×170mmである。同モジュールは、海外では2012年末ごろに販売されたハイブリッド自動車(HEV)に採用されたという。日本では2013年6月ごろに発売予定のHEVに搭載されたとする。

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