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 デンソーは、製造工程の変更でリーク電流の抑制とオン抵抗の低減を両立させた、耐圧600Vのsuper junction(SJ)構造のパワーMOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:LV-P3)。リーク電流に関しては、製造工程の変更前に比べて約1/1000に抑えた。オン抵抗については、室温で13.5mΩcm2、150℃駆動で28.3mΩcm2を実現した。このオン抵抗は、同耐圧のSJ MOSFETとしては、「業界最小水準の値」(デンソーの発表者)とする。

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