【ISPSD】デンソー、製造工程の変更でリーク電流の抑制とオン抵抗の低減を実現した耐圧600Vのsuper junction MOSFETを試作

　デンソーは、製造工程の変更でリーク電流の抑制とオン抵抗の低減を両立させた、耐圧600Vのsuper junction（SJ）構造のパワーMOSFETを試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：LV-P3）。リーク電流に関しては、製造工程の変更前に比べて約1/1000に抑えた。オン抵抗については、室温で13.5mΩcm²、150℃駆動で28.3mΩcm²を実現した。このオン抵抗は、同耐圧のSJ MOSFETとしては、「業界最小水準の値」（デンソーの発表者）とする。