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 Wide I/Oメモリとロジック・チップのTSV(Si貫通ビア)ベース3次元構造パッケージの実用化に向けた試作評価が米Qualcomm社で着々と進んでいる。Qualcomm社のDong Wook Kim氏は、最大4枚までのWide I/Oメモリと28nm世代のロジック・デバイスを積層してTSVで接続した3D-TSV構造の開発成果について、半導体パッケージ技術の国際学会「2013 Electronic Components and Technology Conference(ECTC)」(2013年5月28~31日、米国ラスベガス)において世界で初めて報告した。論文タイトルは「Development of 3D Through Silicon Stack (TSS) Assembly for Wide IO Memory to Logic Devices Integration」。

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