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　韓国Samsung Electronics社は、口径8インチ（200mm）のSi基板上に、ゲートに正の電圧を印加すると導通する「ノーマリー・オフ動作」のGaNパワー素子を試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26～30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：6-4）。GaNパワー素子の製造に用いるSi基板の口径は6インチが一般的。8インチと大型化することで生産性が高まり、コスト削減につながる。

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