韓国Samsung Electronics社は、口径8インチ(200mm)のSi基板上に、ゲートに正の電圧を印加すると導通する「ノーマリー・オフ動作」のGaNパワー素子を試作し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」(2013年5月26~30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会)で発表した(講演番号:6-4)。GaNパワー素子の製造に用いるSi基板の口径は6インチが一般的。8インチと大型化することで生産性が高まり、コスト削減につながる。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録(無料)
日経クロステックからのお薦め
「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。