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 ルネサス エレクトロニクスは、酸化物半導体を用いたCMOSインバータ回路を論理LSIの多層配線内に埋め込むことに成功した。技術の詳細を「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2013年6月11~14日、京都市)で発表する(講演番号T17-3)。講演タイトルは「High-Voltage Complementary BEOL-FETs on Cu Interconnects Using N-type IGZO and P-type SnO Dual Oxide Semiconductor Channels」。なお、今回の論文は競争率が高いLate Newsに採択されている。

(ルネサス エレクトロニクスの資料)
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 これまでルネサス エレクトロニクスでは、低電圧で動作する論理LSI上に、高電圧で駆動する外部機器との接続を担うオンチップ電源インタフェース回路を集積する技術を開発してきた。既に酸化物半導体であるアモルファスInGaZnO(IGZO)を用いたn型トランジスタに加え、アモルファスSnO(第2酸化スズ)を用いたp型トランジスタをLSI配線内に埋め込む技術を開発済みである(関連記事)。

 今回はそれらを組み合わせてCMOSインバータ回路を開発した。これまではn型トランジスタと抵抗でインバータ回路を構成していたが、今回のCMOS化によって消費電流を大幅に削減できることを確認した。また、CMOSの応用範囲は広く、「今回の技術はラッチ回路などを含むI/Oロジック全般に適用できる」(同社)としている。なお、正確にはCMOSではなく、相補型のMIS(metal insulator semiconductor)だが、ここでは便宜上CMOSと表記している。

ゲート長(Lcu)は0.6μm(ルネサス エレクトロニクスの資料)
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追加マスク2枚で製造