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 筑波大学 数理物質系 准教授の大毛利健治氏らの研究グループは、LSIに形成したトランジスタ(MOSFET)の雑音を広い周波数域にわたって簡便に計測する技術を開発し、「2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits」(2013年6月11~14日、京都市)で発表した(講演番号:JJ1-7)。筑波大学、ディー・クルー・テクノロジーズ、東京工業大学が、科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業(CREST)の支援を受けて実施したもの。これまで計測が難しかった周波数域の雑音特性を詳しく把握できるようになり、それを半導体製造プロセスやLSI設計の改善に生かせる。

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