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開発中のSiC MOSFET(中央) Tech-On!が撮影。
開発中のSiC MOSFET(中央) Tech-On!が撮影。
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トランジスタ構造と試作デバイスの特性 デンソーのデータ。
トランジスタ構造と試作デバイスの特性 デンソーのデータ。
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 デンソーは、幕張メッセで開催中の「CEATEC JAPAN 2013」に開発中のSiC MOSFETを展示した。ブースの説明員によれば、自動車での実用化は「2010年代中を目指しているが、2020年になってからの可能性もある」という。

 その前に、自動車以外で利用されることを期待しているとした。具体的には、太陽光発電や風力発電向けのパワー・コンディショナ、産業用インバータ、ACマトリクス・コンバータなどである。こうした用途では、2015年の実用化を目指している。すでに潜在顧客とは、ある程度の接触を持っているようだ。

 競合他社との差異化ポイントは2つ。1つは、低欠陥のRAF(Repeated A-Face growth method)ウエハーを使っていること。このウエハーは、技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構、デンソー、昭和電工、豊田中央研究所の4機関で開発したものである。もう1つのポイントは、狭セル・ピッチのトレンチ・ゲート構造のトランジスタなことで、小さなダイで大きな電流を確保できるという。このトランジスタは3社の共同開発だが、組む相手が少し異なる。デンソー、トヨタ自動車、豊田中央研究所である。

 ブースには、3社共同開発の6インチ・ウエハーや、5mm×5mmのダイに作られたMOSFETが展示されている。同トランジスタのドレイン電流は80A、耐圧は650V、オン抵抗は20mΩだという。

■変更履歴
この記事の掲載当初、3段落目(要点含む)において、「ウエハーを3社で開発した」とし、3社の名称を記しておりましたが、正しくは「ウエハーは4機関で開発した」でした。お詫びして訂正します。記事には改めて、4機関の名称を記述しました。なお、本文は修正済みです。