従来と今回のセンサーの構造 ラピスのスライド。
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X線画像の比較 ラピスのスライド。
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ラピスセミコンダクタは、パシフィコ横浜で開催中の「Embedded Technology 2013 / 組込み総合技術展」（2013年11月22日まで）で、同社独自のSOI（silicon on insulator）技術を使って開発中のXセンサーを紹介した。産業用検査器や医療機器などへの適用を目指して、高エネルギー加速器研究機構、理化学研究所と共同で開発を進めている。
ブースの説明員によれば、従来のピクセル検出器では、センサーとCMOS回路はそれぞれ別のダイで作り、両者をバンプで接続していたという。それに対して、ラピスらが開発を進めているピクセル検出器は、両者を一体にして作る。すなわち、高比抵抗Si基板にセンサを実現し、その上に（SOI層）に電子回路を形成する。これで画素が小さくなり、同じチップ面積ならば、画素数を増やせて高解像度化が図れる。また、回路を使って読み出しの高速化やノイズ低減などを行えるという。
例えばブースでは、市場にあるX線イメージング・プレート（分解能は50μm）と今回のセンサー（同30μm）を使って取り込んだX線画像を見せていた。
