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従来と今回のセンサーの構造 ラピスのスライド。
従来と今回のセンサーの構造 ラピスのスライド。
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X線画像の比較 ラピスのスライド。
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 ラピスセミコンダクタは、パシフィコ横浜で開催中の「Embedded Technology 2013 / 組込み総合技術展」(2013年11月22日まで)で、同社独自のSOI(silicon on insulator)技術を使って開発中のXセンサーを紹介した。産業用検査器や医療機器などへの適用を目指して、高エネルギー加速器研究機構、理化学研究所と共同で開発を進めている。

 ブースの説明員によれば、従来のピクセル検出器では、センサーとCMOS回路はそれぞれ別のダイで作り、両者をバンプで接続していたという。それに対して、ラピスらが開発を進めているピクセル検出器は、両者を一体にして作る。すなわち、高比抵抗Si基板にセンサを実現し、その上に(SOI層)に電子回路を形成する。これで画素が小さくなり、同じチップ面積ならば、画素数を増やせて高解像度化が図れる。また、回路を使って読み出しの高速化やノイズ低減などを行えるという。

 例えばブースでは、市場にあるX線イメージング・プレート(分解能は50μm)と今回のセンサー(同30μm)を使って取り込んだX線画像を見せていた。