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　米Micron Technology社とソニーの共同グループは、27nm世代の16GビットReRAM（抵抗変化型メモリー）を開発し、「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）2014」（2014年2月9～13日、米国サンフランシスコ）で発表した［講演番号19.7］。DRAMとNANDフラッシュメモリーの速度ギャップを埋めるストレージクラスメモリー（SCM）への応用を目指す。

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