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　韓国Samsung Electronics社は3次元NANDフラッシュメモリー「Vertical NAND（V-NAND）」について「International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）2014」（2014年2月9～13日、米国サンフランシスコ）で発表した［講演番号19.5］。メモリーセル層を24層積み重ねたMLC品で、1チップで128Gビットの容量を持つ。

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