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高周波対応のハイブリッドSiCパワーモジュール
高周波対応のハイブリッドSiCパワーモジュール
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定格電流が800Aと大きいフルSiCパワーモジュール
定格電流が800Aと大きいフルSiCパワーモジュール
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 三菱電機は、50kHz程度までの高周波スイッチング動作を行う産業機器に向けたハイブリッドSiCパワー半導体モジュールを開発、「TECHNO-FRONTIER 2014」(7月23~25日、東京ビッグサイト)に出展した。高周波用Si-IGBTとSiC-SBD(ショットキーバリアダイオード)を組み合わせたもので、2014年5月からサンプル出荷中である(関連リリース)。

 太陽光発電用パワーコンディショナーなど各種の産業機器に向けるもので、特に、高いスイッチング周波数を採用する場合が多い医療機器用電源とは相性が良いという。耐圧は1200V、定格電流は100~600Aの6種類。SiC-SBDを採用することで、Siダイオードを搭載したモジュールに比べて電力損失を40%、リカバリー損失を99%、それぞれ低減できるという。

 三菱電機はこの他、耐圧1200Vで定格電流が800Aと大きい産業機器向けフルSiCパワー半導体モジュールや、電流センス機能付きSiC MOSFETと駆動回路・保護機能までを実装したSiC IPM(intelligent power module)を出展した。いずれもサンプル出荷中で2015~2016年度に製品化したい考え。