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 ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセスに対応するフラッシュメモリーIPを開発した。同プロセスで製造する車載マイコンへの搭載を狙って開発したもの。同社によれば、28nm向けフラッシュメモリーIPは、これが世界で初めてだという。

図1●試作チップ ルネサスのスライド。
図1●試作チップ
ルネサスのスライド。
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図2●試作チップの主な仕様 ルネサスのスライド。
図2●試作チップの主な仕様
ルネサスのスライド。
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 同社は1年前に、車載マイコンへの搭載を狙って開発した28nmフラッシュメモリーIPについて一度発表している(日経テクノロジーオンライン関連記事)。SG-MONOS(split gate metal-oxide-nitride-oxide-silicon)と呼ぶ独自のメモリーセル構造を持つ、埋め込め用フラッシュメモリーIPの28nmプロセス向けである。

 1年前に開発されたのは基本的にメモリーセルだったが、今回、周辺回路も開発してフラッシュメモリーマクロとして整備した。今回のマクロに関して「ISSCC 2015(2015 International Solid-State Circuits Conference)」において2015年2月24日に詳細を発表した。1年前に発表した際よりも性能も高まった。

 例えば、プログラムコード格納用の場合、ランダム読み出し周波数は1年前の160MHzから今回は200MHzに向上、最大容量は16Mバイトから32Mバイトに向上した。なお、200MHzのランダム読み出し周波数は、車載IC対応の広範な接合温度範囲である-40~170℃で達成した(図1)。また、データ格納用の場合、最大容量が256Kバイトから1Mバイトに向上、書き換え可能回数は25万回から100万回に向上させた(図2)。