PR
PrimePACK3\+
PrimePACK3+
[画像のクリックで拡大表示]
PrimePACK3\+を使ったデモ
PrimePACK3+を使ったデモ
[画像のクリックで拡大表示]
IGBT5の説明
IGBT5の説明
[画像のクリックで拡大表示]
\.XT技術の説明
.XT技術の説明
[画像のクリックで拡大表示]

 ドイツInfineon Technologies社は、IGBTとsuper junction型MOSFET(SJ-MOSFET)「CoolMOS」の次世代品を「PCIM Europe 2015」に出展した。

 Infineon社のIGBTチップの最新世代は「IGBT5」である。最大接合温度が+175℃と、前世代品の「IGBT4」に比べて25℃高くなった。このIGBT5と第5世代のダイオード、および「.XT」と呼ぶ新しいパッケージング技術を組み合わせた産業用パワーモジュール「PrimePACK3+」を開発した。従来のPrimePACK3と同じ実装面積(フットプリント)を維持しつつ、出力電流を30%ほど高めた点を特徴にうたう。例えば、耐圧1200V品と1700V品では、IGBT4を利用した際の出力電流は1400Aだったが、IGBT5の適用によって1800Aに高めた。

 耐圧が1200~1700Vの品種を用意する。PCIM Europe 2015で見せたのは、耐圧1200Vで出力電流が1200Aのものと、耐圧1700Vで出力電流が1800Aのものである。今後、1200V品は1500Aと1800A品を、1700V品は1200Aと1500A品を拡充していく予定だ。