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 パナソニックは京都市で開催中の国際学会「2015 Symposium on VLSI Techology」で、セル寸法が28nmの抵抗変化型メモリー(ReRAM)をベルギーIMECと共同開発したと発表した。「セル寸法が20nmでも大きな性能低下はない見通し」(パナソニック)。加えて、その技術を基に、同40nmのReRAM(以下、40nm ReRAM)で、記録容量が2Mビットのチップを作製した。同社は2013年8月に180nm ReRAMを出荷している。今回はそれを一気に1/4~1/6に微細化する技術である。

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