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 「2015 Symposium on VLSI Circuits」のセッション「SRAM and CAM」では、高密度CAMに関する2件の発表が注目を集めた。先端プロセス技術や低電圧技術を特徴とする論文が多いSRAM関連セッションにおいて、かつては“日陰的”な存在だったCAMの位置づけが大きく変わったと感じた。

 IoT関連のアプリケーションの急成長が期待される中、いわゆるビックデータのネットワーク処理の高性能化が強く要求されるようになった。これに伴い、高密度で電力効率の優れた高性能サーチ機能を持つルックアップテーブルやパケットバッファを実現するメモリーとして、2値CAM(BCAM)やマスク機能を持つ3値CAM(TCAM)が重要性を増している。

 CAMのメモリーセルは、従来の学会ではあまり注目されなかった。その理由の一つは、6T-SRAMに比べて数世代古いプロセス技術で設計され、ビット密度も低容量だったためだ。対して最近では、CAMのメモリーセルをロジックルールで設計するのではなく、6T-SRAM専用に用意したプッシュルールをビット密度向上に適用する事例が増えている。

 CAMでは、検索データと一致したアドレスを出力するサーチ速度の向上が求められる。大規模な並列検索動作に起因する動作時電力の増大も、高密度化に向けて克服すべき課題だ。