PR

MEMS専用プロセスをさらに拡充

 TSMCが持っているMEMS加工プロセスは,リソグラフィ,エッチング,成膜,解析などCMOS LSIをベースとしたものから,表面マイクロマシニングやバルク・マイクロマシニングといったMEMS独特のプロセスまで多岐にわたる(図7)。CMOS LSIをベースにしたプロセスでもMEMS固有のプロセスが含まれる。裏面位置合わせやDRIE(deep reactive ion etching)などである。これらにおいてTSMCは,量産に耐える高い能力を備えている。

図7 多様なMEMS専用プロセスを提供
図7 多様なMEMS専用プロセスを提供
台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.が提供中のMEMS専用プロセスによる加工サービス。同社のデータ。

 今後TSMCは,MEMS加工プロセスの能力をさらに拡大していく計画を持っている(図1)。2008年中に,共晶接合,スティッキング防止コーティング,酸化膜の犠牲層のエッチングなどのプロセスを導入する。異方性ウエット・エッチングの導入時期は2009年となる。導入に時間がかかるのは,CMOSプロセスへのコンタミネーションがあることによる。プロセスそのものは複雑ではないが,コンタミネーションを抑制するために時間を要する。