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SiCやGaNといった次世代パワー半導体は現行のSiベース品に比べて、インバータやコンバータなどで大幅な効率向上や小型化を見込める。2013年はSiCやGaNを用いたパワー素子の採用事例が徐々に増えるとともに、同素子の激しい開発競争が繰り広げられた。

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