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　日立製作所とルネサス テクノロジは，LSI内部における電源雑音の測定技術を開発した。両社が開発したのはリングオシレータを使った小型の測定回路で，電圧変動を周波数の変動に変換することで，チップ外部の測定器で計測する際に伝送路で発生する雑音に対する耐性を高めた。測定可能な電源雑音の変動幅は1mVで，時間分解能は5nsである。最大で69mVの電圧変動を測定できる。

　今回開発した電源雑音測定回路をLSIに集積すれば，LSIの電源雑音の変動をリアルタイムで測定可能となる。回路が小さいため必要な分だけLSIに実装できる。携帯電話機に使用するマイクロプロセサであれば，今回開発した電源雑音測定回路を20～30個は実装できるという。