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 DRAM並みの高速性を備え,書き換え回数が無制限,しかも電源を切っても情報が消えない。機器設計者が長年待ち望んできた「不揮発性の主記憶」の実現に道を開く技術を日立製作所らが開発した。同社は,スピン注入磁化反転と呼ぶ新たな動作方式に基づくMRAMの2Mビット・チップを東北大学電気通信研究所と共同で試作し,米国で開催された「ISSCC 2007」で概要を発表した。

 試作チップにおける1.8Vの電圧供給時の書き換え時間は約100ns,読み出し時間は約40nsである。今回,109回の書き換えが可能なことも確認している。「今回は評価時間の関係から109回までしか調査しなかった。能力的には無制限書き換えが可能」(日立製作所)としている。メモリ・セル面積も比較的小さい。試作チップのセル面積は1.6μm×1.6μmで,16F 2(セル部分の設計ルールF は0.4μm)に相当する。現時点で単体DRAMの理論的なセル面積である6F 2~8F 2の約2倍に抑えている。