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 従来の65nm世代の論理LSIに比べて,ゲート密度は約2倍。動作時電力を約27%,待機時電力を約9%削減しつつ,回路の動作速度を約10%向上できる。

 Siファウンドリー最大手の台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.(TSMC)は,45nm世代のプロセス技術に基づく論理LSIの量産を2007年9月に開始すると発表した。このプロセス技術を利用することで,機器メーカーはLSIの低消費電力化,性能向上,高密度化で微細化の恩恵を受けられそうだ。