PR

 高耐圧・高電流トランジスタの回路シミュレーション用モデル「HiSIM_HV(Hiroshima-university STARC IGFET Model_High Voltage)」が国際標準規格として,米CMC(Compact Model Council)に選ばれた。このモデルは,広島大学と半導体理工学研究センター(STARC)が共同開発したもので,これまでのBSIM(Berkeley Short-channel IGFET Model)を拡張したマクロ・モデルに比べて解析精度が高いことや,シミュレーションが早く収束することが特徴となっている。今回,リコー,三洋半導体,沖電気工業の3社が自社の高耐圧トランジスタを題材に,HiSIM_HVを評価した。多くのケースでHiSIM_HVを使った回路シミュレーション結果と実測値が一致した。

この記事は会員登録で続きをご覧いただけます

日経クロステック登録会員になると…

新着が分かるメールマガジンが届く
キーワード登録、連載フォローが便利

さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に!
「初割」2/7締切迫る!
>>詳しくは


日経クロステックからのお薦め

【初割 2/7締切】日経電子版とセットで2カ月無料!
日経BPで働きませんか

日経BPで働きませんか

「デジタル&ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。

日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。

Webシステムの開発・運用(医療事業分野)

システム開発エンジニア(自社データを活用した事業・DX推進)

システム開発エンジニア(契約管理・課金決済システム/ECサイト)