高耐圧・高電流トランジスタの回路シミュレーション用モデル「HiSIM_HV（Hiroshima-university STARC IGFET Model_High Voltage）」が国際標準規格として，米CMC（Compact Model Council）に選ばれた。このモデルは，広島大学と半導体理工学研究センター（STARC）が共同開発したもので，これまでのBSIM（Berkeley Short-channel IGFET Model）を拡張したマクロ・モデルに比べて解析精度が高いことや，シミュレーションが早く収束することが特徴となっている。今回，リコー，三洋半導体，沖電気工業の3社が自社の高耐圧トランジスタを題材に，HiSIM_HVを評価した。多くのケースでHiSIM_HVを使った回路シミュレーション結果と実測値が一致した。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
「初割」2/7締切迫る！
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
