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GeやInPといった材料をSiと組み合わせることで性能を大幅に向上させるなど,光エレクトロニクス・デバイスが大きく進化しようとしている。光による高速・大容量のデータ通信時代を見越して,メーカーは技術開発にしのぎを削っている。(吉田 勝=本誌)

Roger Allan
米Electronic Design Contributing Editor

 長きにわたって,エンジニアらは光検知器のような帯域幅の狭いデバイスに,標準的なSi CMOSプロセスを適用して光学とエレクトロニクスをうまく融合させてきた。その性能や集積度は向上し続けており,それが高機能なSiフォトダイオードのようなニッチな分野を活気づける原動力となっている。