リソグラフィによるLSIの微細化を支えてきたのがCMP（化学機械研磨）技術である。CMPでデバイス表面を高精度に平坦化することにより，露光に必要な焦点深度を確保できるようになった。CMPの研磨剤として使うスラリーは，平坦化プロセスの制御の決め手となる。LSIへのCu/低誘電率（low-k）膜の導入に伴い，スラリーの砥粒や化学成分の改良によるCMPの低圧・低ダメージ化が重要になってきた。連載の第5回は，CMPの進化を支えるスラリー技術について解説する。
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