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 ハーフ・ピッチ10nm台のパターンを,波長351nmの光で形成する。こうした手法の基礎となる技術を米Massachusetts Institute of Technology(MIT)が開発した。現行では2回にとどまる露光を,8回繰り返して実現する。現在は4回露光によるハーフ・ピッチ25nmの形成に成功した段階である。今後「1~2年以内に8回露光によるハーフ・ピッチ12.5nmを実現する」(MIT,Director,Space Nanotechnology LaboratoryのMark L. Schattenburg氏)。対象は,メモリーのセル領域のように,直線が等間隔で並ぶパターンの形成に限られる。

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