消費電力とシステム・コストでの優位性を強みに，DRAMの一部置き換えを狙った不揮発性メモリーの製品化がここへ来て相次いで始まった。DDR（double data rate）インタフェースを導入したNOR型フラッシュ・メモリーや，相変化メモリー（PCM：phase change memory）である。背景には，DRAMの微細化危機がある。携帯電話機やサーバーでは，DRAM搭載量を削減するために，2009～2010年にこれら新型メモリーの採用が始まる見通しである。
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