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 消費電力とシステム・コストでの優位性を強みに,DRAMの一部置き換えを狙った不揮発性メモリーの製品化がここへ来て相次いで始まった。DDR(double data rate)インタフェースを導入したNOR型フラッシュ・メモリーや,相変化メモリー(PCM:phase change memory)である。背景には,DRAMの微細化危機がある。携帯電話機やサーバーでは,DRAM搭載量を削減するために,2009~2010年にこれら新型メモリーの採用が始まる見通しである。

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