液浸露光技術やダブル・パターニング技術の後継として，2010年代前半の実用化が期待されるEUV（extreme ultraviolet）露光技術の開発が，大きく動き始めた。韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が，EUV露光によるDRAMチップの試作を始めることを，2008年9月の「2008 International EUVL Symposium（2008 EUVL Sympo.）」で明らかにした。2009年2月の「SPIE Advanced Lithography 2009（SPIE 2009）」でその成果を発表する。国内でも半導体先端テクノロジーズ（Selete）が，チップ試作の前段階となるTEG（test element group）の試作結果をSPIE 2009で発表する。2008 EUVL Sympo.では，これら両グループが量産対応の露光領域（フィールド）を備えるフル・フィールド露光装置の評価結果を示した。
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