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 液浸露光技術やダブル・パターニング技術の後継として,2010年代前半の実用化が期待されるEUV(extreme ultraviolet)露光技術の開発が,大きく動き始めた。韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が,EUV露光によるDRAMチップの試作を始めることを,2008年9月の「2008 International EUVL Symposium(2008 EUVL Sympo.)」で明らかにした。2009年2月の「SPIE Advanced Lithography 2009(SPIE 2009)」でその成果を発表する。国内でも半導体先端テクノロジーズ(Selete)が,チップ試作の前段階となるTEG(test element group)の試作結果をSPIE 2009で発表する。2008 EUVL Sympo.では,これら両グループが量産対応の露光領域(フィールド)を備えるフル・フィールド露光装置の評価結果を示した。

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