DRAMと同じ製造プロセスと材料，ほぼ同じ構造と周辺回路で実現する“不揮発性DRAM”が登場した。DRAMと同じスピードでランダム読み出し/書き込みが可能であり，電源を切ってもデータは保持できる。これによって，電源投入時に，前回の電源遮断時の状態から起動する“インスタント・オン”が可能になる。これは，次世代メモリーとして期待されるMRAM（magnetresistive RAM）が狙っているのと同じ応用である。
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