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 2008年12月15~17日に米国のサンフランシスコ市で開催された半導体技術の国際学会「2008 International Electron Devices Meeting(IEDM 2008)」。毎年,最新の半導体製造技術が集うこの学会で,今回は半導体製造大手がリーク電流を大幅に低減する「高誘電率(high- k )絶縁膜/メタル・ゲート(HKMG)」技術の採用で足並みをそろえ,量産可能かそれに近い水準の,32nm世代のCMOS技術を相次いで発表した。

 さらには,既存の量産技術に基づく22nm世代トランジスタも登場した。露光技術など製造上の課題は残るものの,一時は継続が危ぶまれていた「ムーアの法則」が勢いを取り戻し,今後も当分続くことが明確になった。次世代CMOS技術に関する「Session 27」には約700人もの聴衆が集まり,活発な議論が交わされた。