PR

 DRAMの製造プロセスを基にした不揮発性のDRAMを,創立間もない米国の技術系ベンチャが開発した。このメモリーは,高速ランダム・アクセスが可能で,新材料を使わずに不揮発性を備える。待機時消費電力の削減やインスタント・オン機能の追加を強みに,既存のDRAMの代替を狙う。今回,このメモリー技術の開発者で同社の創業者であるWingyu Leung氏が,本誌にその詳細を明らかにした。