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出力に対する効率と隣接チャネル漏洩電力比

 半導体設計のベンチャー企業である米Black Sand Technologies,Inc.は,第3世代携帯電話(3G)の端末向けパワー・アンプをCMOS技術で開発した。電力付加効率(PAE)は,送信出力27.8dBm(約600mW)の場合に41.7%と高い。出力特性の線形性の指標である隣接チャネル漏洩電力比(ACLR)は同じ送信出力27.8dBmの場合に-40.0dBcと,こちらも優れた特性を示す。多値変調への耐性を示すEVM(error vector magnitude)の値は3%以下であり,3Gの携帯電話サービスで利用する1次変調方式に十分対応できる。

 日本のあるパワー・アンプ開発者は,これらの値について「GaAs品では同等性能品があるが,CMOS品では初めてだ」と指摘する。これまで,3G端末のRF回路のパワー・アンプは,GaAs技術の利用が一般的だった。今回,CMOS技術でGaAs品と同等性能のパワー・アンプが実現できたことで,RF送受信ICへのパワー・アンプの集積化が,一気に進む可能性が出てきた。

『日経エレクトロニクス』2009年10月19日号より一部掲載

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