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 20nm台のメモリーの量産に,次世代のパターニング技術であるEUV(extreme ultraviolet)露光を適用できる技術的な見通しが付いてきた。EUV露光はこれまで,量産への適用時期を後退させることを繰り返してきた。メモリー・メーカーの要求仕様に対して,関連技術の開発が追い付かなかったためである。ところが,ここに来て露光光源や,レジストなどの技術課題が大幅に改善し,メモリー・メーカーの要求水準に達するメドがついた。さらに,露光光源の高出力化によって,レジストの感度を緩和しても露光装置の処理能力を向上できるようになった。これら最新技術の動向を追った。